Ионно-лучевое ассистирование
Ионное ассистирование в отличие от ионно-лучевой очистки проводится не только перед, но и во время процессов нанесения покрытий методами испарения и распыления в вакууме. Энергия ионов при этом существенно ниже и обычно лежит в диапазоне 30 – 300 эВ.
Наиболее широкое применение эта технология нашла в сочетании с электронно-лучевым испарением и позволила улучшить такие параметры, как адгезия и плотность осаждаемых покрытий. Кроме того, так как при испарении оксидных материалов формируются пленки с недостатком кислорода, то проведение процесса с ассистированием ионами кислорода позволяет контролировать стехиометрию формируемых пленочных структур и в ряде случаев увеличить коэффициент преломления оксидных покрытий. При этом существенно уменьшаются поглощение, рассеяние и шероховатость пленок, а твердость и стойкость к истиранию повышаются.
На фирме Изовак разработаны ионные источники серии “Стрелок-2" для проведения операций ионного ассистирования, которые могут поставляться Заказчику как в составе вакуумных установок типа ORTUS, так и в качестве самостоятельного изделия.
Вакуумное оборудование с применением данной технологии
- Магнетронное распыление
- Ионно-лучевое распыление
- Ионно-лучевая очистка
- Ионно-лучевое ассистирование
- CIGS технология

